اعلام جامعة بابل | رسالة ماجستير تناقش تأثير كاربيد السليكون على الخصائص الالكترونية

اعلام جامعة بابل - كلية الادارة والاقتصاد

رسالة ماجستير تناقش تأثير كاربيد السليكون على الخصائص الالكترونية

نشر بواسطة : نادية جاسم حسين

تاريخ الخبر : 04/9/2022 26:16:12 PM

عدد المشاهدات : 58

رسالة ماجستير في العلوم الصرفة تناقش تأثير كاربيد السليكون على الخصائص الالكترونية والطيفية لهيكل SeO2/PVA دراسة DFT
نوقشت في كلية التربية للعلوم الصرفة جامعة بابل رسالة ماجستير للطالبة صفا زهير حسين, قسم الفيزياء الموسومة : (Effect of Silicon Carbide on the Electronic and Spectral Properties of the PVA/SeO2 Structure: DFT Study تأثير كاربيد السليكون على الخصائص الالكترونية والطيفية لهيكل SeO2/PVA دراسة DFT) بأشراف الاستاذ المساعد الدكتورة هند احمد محمد رؤوف و هي جزء من متطلبات نيل درجة الماجستير في التربية / الفيزياء.
تضمنت الرسالة دراسة تأثير زيادة عدد الذرات على الخصائص الهندسية , الالكترونية و الطيفية للمتراكب النانوي (PVA-SeO2-SiC) (بولي فينيل الكحول - ثنائي اوكسيد السيلينيوم - كاربيد السيليكون) وذلك باستخدام برنامج Gaussian 0.9 وبمساعدة Gaussian View 0.5 , نظرية دالة الكثافة (DFT) (Density Functional Theory) , التقريب (B3LYP) ومجموعة الأساس (LanL2DZ) .
دُرست الخصائص الهندسية , الالكترونية و الطيفية لبوليمر (بولي فينيل الكحول) (PVA) (43Atoms) ومن ثم دراسة تأثير اضافة جسيمات نانوية كاربيد السيليكون (SiC) الى البوليمر (PVA) ليصبح المتراكب النانوي (PVA-SiC) (45Atoms) وبعدها تم اضافة جسيمات نانوية (SeO2) بمرحلتين(PVA-SeO2-SiC) (46Atoms) و (PVA-SeO2-SiC) (90Atoms) .
اشتملت الخصائص الهندسية على تحسين الأمثلية الهندسية (الاواصر والزوايا) . اما بالنسبة للخصائص الالكترونية فقد تضمنت (الجهد الايوني ، التقارب الالكتروني ، الصلادة الكيميائية ، الليونة الكيميائية ، الكهروسلبية ، الطاقة الكلية ، معدل طاقة الربط ، فجوة الطاقة ، الالفة الالكترونية وكثافة الحالات) ، وكذلك الخصائص الطيفية والتي تضمنت (الأشعة تحت الحمراء ، طيف رامان ، الأشعة فوق البنفسجية - المرئية و الرنين النووي المغناطيسي). وقد اتضح من النتائج أن زيادة عدد الذرات للمتراكبات النانوية له تأثير مباشر على جميع خصائص الهيكل المدروس .
ان اضافة الجسيمات النانوية وزيادة عدد ذراتها بالتعاقب ادى الى تحسين كبير على الخصائص المدروسة ومنها فجوة الطاقة التي تناقصت من المقدار (6.856eV) لبوليمر (PVA) الى المقدار (1.848eV) للمتراكب النانوي (PVA-SeO2-SiC) (90Atoms) . كما لوحظ تحسن كبير في الخصائص الالكترونية ، حيث بينت النتائج أن طاقة الترابط ، جهد التأين ، الكهروسلبية ، الالفة الالكترونية ، الليونة الكيميائية ، والاستقطاب للمتراكب (PVA-SeO2-SiC) قد ازدادت ، بينما الصلادة الكيميائية تتناقص . لقد تم أيجاد أشكال مختلفة للجهد الكهروستاتيكي وكثافة الحالات في كل تركيب.
بشكل عام، إن النتائج التي تم التوصل اليها في هذه الدراسة تشير الى بناء تراكيب جديدة لها خواص الكترونية جديدة مختلفة.

الاء الطائي: اعلام كلية التربية للعلوم الصرفة