تدريسي من قسم الفيزياء ينشر بحثا في مجلة Physica B عن التركيب الالكتروني للبنى المتغايرة النادرة GaS/GaSe
القائمة على الطبقات الأحادية GaS و GaSe
نشرت دراسة بحثية أعدها الاستاذ الدكتور حمد رحمن التدريسي في قسم الفيزياء كلية التربية للعلوم الصرفة والموسومة : (التركيب الالكتروني للبنى المتغايرة النادرة GaS/GaSe القائمة على الطبقات الاحادية GaS و GaSe )في المجلة العالمية Physica B وهي من المجلات التي تصدر عن مؤسسة Elsevier , و مصنفة ضمن تصنيف سكوبس وتصنيف ثومسن رويترز ولها معامل تأثير قدرة 1.45.تضمنت الدراسة استخدم نظرية الكثافة الوظيفية (DFT) المصححة بتأثيرات فندرز فالز لدراسة الخصائص الإلكترونية للبنى المتغايرة النانوية GaS/GaSe القائمة على الطبقات الاحادية GaS و GaSe. وقد أكدت النتائج على ان هذه البنى المتغايرة تمتلك فجوة مباشرة على عكس الطبقات الأحادية المكونة لها، وتتراوح فجوة الطاقة المباشرة من 1.308 إلى 1.78 الكترون فولت، والتي تقع في منطقة الضوء المرئي، مما يشير إلى التطبيقات الإلكترونية البصرية الممكنة.وأوضح الباحث بان لهذه البنى خصائص الكترونية غير مسبوقة، فبالتالي يمكن استعمالها في التطبيقات الممكنة المفتوحة مثل الاجهزة النانوية، المتحسسات الضوئية، وأجهزة الاستشعار، والخلايا الشمسية، وغيرها من التطبيقات، وقد قورنت هذه البنى مع البلورات المؤلفة من نفس هذه العناصر ووجد ان فجوة الطاقة للبنى النانوية تكون اكبر من تلك الموجودة في البلورات GaS / GaSe.وأضاف بان هذه البنى تكون مستقرة ديناميكيا وذلك من خلال دراسة العلاقة بين الفونونات والتردد ، حيث كانت جميع الترددات موجبة وطاقة الترابط لها عالية جداً مما يدل على استقراريتها.